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技术文档
型号
FDS4435BZ-G
品牌
onsemi
utmel 编号
1807-FDS4435BZ-G
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
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FDS4435BZ-G详情
技术参数
onsemi FDS4435BZ-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
8-SOIC
厂商
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
Obsolete
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1845 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±25V
FDS4435BZ-G拓展信息
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ON Semiconductor
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
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