FDS4435BZ-G
FDS4435BZ-G

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

onsemi FDS4435BZ-G

  • 收藏
  • 对比

型号

FDS4435BZ-G

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-FDS4435BZ-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
FDS4435BZ-G
FDS4435BZ-G onsemi MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FDS4435BZ-G详情

onsemi FDS4435BZ-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • 厂商

    onsemi

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8.8A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1W (Ta)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20mOhm @ 8.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1845 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    40 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

0个相似型号

FDS4435BZ-G拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z