ON Semiconductor 2N6292G
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2N6292G
1807-2N6292G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN 70V 7A TO220AB
--最小包装量--
2N6292G详情
ON Semiconductor 2N6292G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.5V
Number of Elements
1
hFEMin
30
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
可提供引线框架选项
电压 - 额定直流
70V
最大功率耗散
40W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
7A
频率
4MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2N6292
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
40W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
4MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
7A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 2A 4V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3.5V @ 3A, 7A
转换频率
4MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
15.748mm
长度
10.2616mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N6292G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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