ON Semiconductor 2N6388G
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2N6388G
1807-2N6388G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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ON SEMICONDUCTOR - 2N6388G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, 20 hFE
--最小包装量--
2N6388G详情
ON Semiconductor 2N6388G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
Number of Elements
1
hFEMin
1000
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
2W
额定电流
10A
基本部件号
2N6388
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
65W
功率 - 最大
2W
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 5A 3V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 100mA, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
10A
高度
4.82mm
长度
15.75mm
宽度
10.28mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N6388G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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