ON Semiconductor BDX33B

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

可提供引线框架选项

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

70W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BDX33

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

70W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 3A 3V

最大集极截止电流

500μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 6mA, 3A

转换频率

3MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

10A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅