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价格梯度

内地含税价

1

￥2.227249
10

￥2.101178
100

￥1.982245
500

￥1.870041
1000

￥1.764188

ON Semiconductor 2N6517BU

Name: 2N6517BU
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2N6517BU
Price: 2.23 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2N6517BU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N6517BU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 350V 0.5A TO-92

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2N6517BU ON Semiconductor TRANS NPN 350V 0.5A TO-92

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N6517BU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

2 Weeks
触点镀层

Tin
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数

3
质量

179mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1V
Number of Elements

1
hFEMin

30
操作温度

150°C TJ
包装

Bulk
已出版

2007
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
电压 - 额定直流

350V
最大功率耗散

625mW
端子位置

BOTTOM
额定电流

500mA
频率

200MHz
基本部件号

2N6517
元素配置

Single
功率耗散

625mW
增益带宽积

200MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

350V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 50mA 10V
最大集极截止电流

50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA
转换频率

40MHz
集电极基极电压(VCBO)

350V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
高度

4.58mm
长度

4.58mm
宽度

3.86mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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2N6517BU拓展信息

热销零件