ON Semiconductor 2N6517BU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

500mA

频率

200MHz

基本部件号

2N6517

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

350V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅