ON Semiconductor 2N7002V

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

32mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.5Ohm

最大功率耗散

250mW

终端形式

FLAT

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250mW

接通延迟时间

5.85 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

280mA

阈值电压

1.76V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.76 V

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅