ON Semiconductor 2N7052

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

625mW

额定电流

1.5A

基本部件号

2N7052

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 5V

最大集极截止电流

200nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅