ON Semiconductor 2SC5706-TL-H

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

160mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

800mW

终端形式

鸥翼

频率

400MHz

基本部件号

2SC5706

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

800mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

400MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

240mV @ 100mA, 2A

转换频率

400MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

2.3mm

长度

6.5mm

宽度

5.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅