ON Semiconductor 2SC6082-1E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

23W

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

功率 - 最大

2W

增益带宽积

195MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 330mA 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 375mA, 7.5A

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

15A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅