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价格梯度

内地含税价

1

￥3.445829
10

￥3.250781
100

￥3.066772
500

￥2.893182
1000

￥2.72942

ON Semiconductor 30A02MH-TL-E

Name: 30A02MH-TL-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-30A02MH-TL-E
Price: 3.45 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

30A02MH-TL-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-30A02MH-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

3-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 3-Pin MCPH T/R

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30A02MH-TL-E ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 3-Pin MCPH T/R

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30A02MH-TL-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 30A02MH-TL-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

7 Weeks
触点镀层

Tin
安装类型

表面贴装
包装/外壳

3-SMD, Flat Lead
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
hFEMin

200
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

600mW
引脚数量

3
功率 - 最大

600mW
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

-220mV
最大集电极电流

700mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 10mA, 200mA
频率转换

520MHz
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor 30A02MH-TL-E.

环境信息 :
Material Declaration 30A02MH-TL-E
数据表 :
30A02MH pid_6309846_30a02mh-tl-e-on-semiconductor-datasheet-139009440.pdf

30A02MH-TL-E拓展信息

热销零件