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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.095682
500
¥0.070357
1000
¥0.058625
2000
¥0.053786
5000
¥0.050268
10000
¥0.046765
15000
¥0.045224
50000
¥0.044465
ON Semiconductor BC33716TFR
- 收藏
- 对比
BC33716TFR
1807-BC33716TFR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC33716TFR详情
ON Semiconductor BC33716TFR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
800mA
频率
100MHz
基本部件号
BC337
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
最大击穿电压
45V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC33716TFR拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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