ON Semiconductor BC33725TAR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

800mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC337

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

10V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅