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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.075217
10
¥1.957754
100
¥1.846932
500
¥1.742395
1000
¥1.643765
ON Semiconductor BC33725TFR
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- 对比
BC33725TFR
1807-BC33725TFR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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¥
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BC33725TFR详情
ON Semiconductor BC33725TFR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
触点镀层
Tin
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
hFEMin
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
800mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC337
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
10V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
宽度
3.86mm
长度
4.58mm
高度
4.58mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC33725TFR拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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