ON Semiconductor BC63916

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

1A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC639

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅