ON Semiconductor BCX70H
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BCX70H
1807-BCX70H
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
--最小包装量--
BCX70H详情
ON Semiconductor BCX70H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
59.987591mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
550mV
Number of Elements
1
hFEMin
180
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
200mA
频率
125MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCX70
资历状况
不合格
电压
45V
元素配置
Single
电流
1A
功率耗散
350mW
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
转换频率
125MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
关断时间-最大值(toff)
800ns
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BCX70H拓展信息
ON Semiconductor
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