ON Semiconductor BD433S

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

22V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

22V

最大功率耗散

36W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

4A

频率

3MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

36W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

22V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

22V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅