ON Semiconductor BD435STU

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

760.986249mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

36W

额定电流

4A

频率

3MHz

基本部件号

BD435

电压

32V

元素配置

Single

电流

4A

功率耗散

36W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

32V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅