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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BUT11AFTU
BUT11AFTU
BUT11AFTU

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ON Semiconductor BUT11AFTU

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型号

BUT11AFTU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-BUT11AFTU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor

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BUT11AFTU
BUT11AFTU ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor

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BUT11AFTU详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor BUT11AFTU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 质量

    2.270003g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    400V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.5V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    450V

  • 最大功率耗散

    40W

  • 额定电流

    5A

  • 基本部件号

    BUT11

  • 电压

    450V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    5A

  • 功率耗散

    40W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    450V

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.5V @ 500mA, 2.5A

  • 转换频率

    4MHz

  • 最大击穿电压

    450V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    1kV

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9V

  • 高度

    15.87mm

  • 长度

    10.16mm

  • 宽度

    4.7mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
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