ON Semiconductor D45H2A

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

60W

额定电流

-8A

频率

25MHz

基本部件号

D45H

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

25MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 8A 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

25MHz

发射极基极电压 (VEBO)

1.5V

高度

9.2mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅