ON Semiconductor ECH8690-TL-H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A 3.5A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.5W

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

955pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7A

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4V Drive

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅