ON Semiconductor EFC6602R-A-TR
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EFC6602R-A-TR
1807-EFC6602R-A-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFBGA, FCBGA
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MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES
--最小包装量--
EFC6602R-A-TR详情
ON Semiconductor EFC6602R-A-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA, FCBGA
引脚数
6
Turn Off Delay Time
6.2 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
2W
元素配置
Dual
接通延迟时间
530 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55nC @ 4.5V
上升时间
2.1μs
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
5.5 μs
连续放电电流(ID)
53A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
5.9mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC6602R-A-TR拓展信息








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