EFC6602R-A-TR
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ON Semiconductor EFC6602R-A-TR

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型号

EFC6602R-A-TR

utmel 编号

1807-EFC6602R-A-TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-XFBGA, FCBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES

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EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR ON Semiconductor MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES

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EFC6602R-A-TR详情

ON Semiconductor EFC6602R-A-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFBGA, FCBGA

  • 引脚数

    6

  • Turn Off Delay Time

    6.2 μs

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    2W

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    530 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • 无卤素

    无卤素

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    55nC @ 4.5V

  • 上升时间

    2.1μs

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 下降时间(典型值)

    5.5 μs

  • 连续放电电流(ID)

    53A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 2.5V Drive

  • 漏源电阻

    5.9mOhm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor EFC6602R-A-TR.

EFC6602R-A-TR拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
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ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
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ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
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FDG8850NZ
FDG8850NZ

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FDS6898A
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