ON Semiconductor FDC6392S

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

960mW Ta

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-2.2A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

369pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.2nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅