ON Semiconductor FDC8602

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

35 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

5.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

690mW

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

690mW

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2nC @ 10V

上升时间

1.7ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

2.3 ns

连续放电电流(ID)

1.2A

阈值电压

3.2V

JEDEC-95代码

MO-193AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅