FDD8586
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ON Semiconductor FDD8586

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型号

FDD8586

utmel 编号

1807-FDD8586

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

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FDD8586
FDD8586 ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

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FDD8586详情

ON Semiconductor FDD8586重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    35A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    77W Tc

  • Turn Off Delay Time

    47 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 电阻

    5.5MOhm

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 额定电流

    35A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    77W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.5m Ω @ 35A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2480pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    48nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    35A

  • 阈值电压

    1.6V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 双电源电压

    20V

  • 栅源电压

    1.6 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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