ON Semiconductor FDG6301N-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

42 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 220mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.4nC @ 4.5V

上升时间

4.5ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

3.2 ns

连续放电电流(ID)

220mA

阈值电压

850mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant