ON Semiconductor FDG6332C-F085P

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

700mA Ta 600mA Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

300mW Ta

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 700mA, 4.5V, 420m Ω @ 600mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

113pF @ 10V 114pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3W

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准