ON Semiconductor FDG8842CZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

750mA 410mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

400MOhm

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 750mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

120pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.44nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V 25V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

750mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

-8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.75A

漏源击穿电压

25V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅