ON Semiconductor FDMA1024NZ
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FDMA1024NZ
1807-FDMA1024NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VDFN Exposed Pad
大陆
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Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin MicroFET T/R
--最小包装量--
FDMA1024NZ详情
ON Semiconductor FDMA1024NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
40mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2007
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
54MOhm
最大功率耗散
700mW
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.3 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
54m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.3nC @ 4.5V
上升时间
2.2ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
5A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
700 mV
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA1024NZ拓展信息










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