ON Semiconductor FDMB2308PZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

12.0024mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

74 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

2.2W

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

14 ns

功率 - 最大

800mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual) Common Drain

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 5.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3030pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

58 ns

连续放电电流(ID)

7A

JEDEC-95代码

MO-229

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

510 pF

高度

725μm

长度

3mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅