ON Semiconductor FDMB3800N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

47mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

40MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

1.6W

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

接通延迟时间

8 ns

功率 - 最大

750mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 4.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

465pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.6nC @ 5V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

4.8A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.9 V

反馈上限-最大值 (Crss)

60 pF

高度

750μm

长度

3mm

宽度

1.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅