注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.711564
10
¥13.878831
100
¥13.093242
500
¥12.35211
1000
¥11.652936
ON Semiconductor FDMC7208S
- 收藏
- 对比
FDMC7208S
1807-FDMC7208S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC7208S详情
ON Semiconductor FDMC7208S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
196mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A 16A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
最大功率耗散
800mW
JESD-30代码
S-PDSO-N4
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1130pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12A
漏极-源极导通最大电阻
0.009Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
55 pF
高度
750μm
长度
3mm
宽度
3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC7208S拓展信息







哦! 它是空的。