ON Semiconductor FDMS3604AS

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A 23A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

JESD-30代码

R-PDSO-N6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1695pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

4.8ns

下降时间（典型值）

3.4 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2 V

反馈上限-最大值 (Crss)

75 pF

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准