ON Semiconductor FDMS7650

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

90mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 104W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

36A Ta 100A Tc

Turn Off Delay Time

83 ns

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

1MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.99m Ω @ 36A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14965pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

209nC @ 10V

上升时间

24ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

36A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

450A

雪崩能量等级（Eas）

544 mJ

栅源电压

1.9 V

长度

5mm

高度

1.05mm

宽度

6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅