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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥38.569889
10
¥36.386687
100
¥34.327062
500
¥32.384026
1000
¥30.550968
ON Semiconductor FDPC8012S
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- 对比
FDPC8012S
1807-FDPC8012S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDPC8012S详情
ON Semiconductor FDPC8012S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
192mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A 26A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
800mW 900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 12A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1075pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 4.5V
上升时间
3ns
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
88A
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13A
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
725μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDPC8012S拓展信息










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