注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
FDS4935
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-FDS4935
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
起订量
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FDS4935详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ON Semiconductor FDS4935重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
48 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
900mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
资历状况
不合格
电压
30V
电流
7A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1233pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 5V
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: ON Semiconductor FDS4935.
右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDS4935相似的参数规格。
Surface Mount
7 A
25 V
900 mW
2 W
Infineon Technologies
20 V
1.6 W
8.6 A
-8 A
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FDS4935拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
¥3.006908
型号:FDD8424H
封装:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
库存:1938
型号:FDS4559
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:0
型号:NTMD6N02R2G
¥8.052488
型号:NDC7002N
封装:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存:239
型号:FDC3601N
库存:20790
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