ON Semiconductor FDS6898AZ-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

包装/外壳

SOIC

引脚数

8

质量

230.4mg

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

34 ns

包装

Tape & Reel (TR)

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

输入电容

1.821nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

14 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅