ON Semiconductor FDS6982AS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A 8.6A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®, SyncFET™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

28MOhm

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

8.6A

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

12 ns

功率 - 最大

900mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

610pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

7ns

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

8.6A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

19 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.4 V

关断时间-最大值（toff)

64ns

接通时间-最大值(ton)

34ns

高度

1.75mm

长度

5mm

宽度

3.99mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅