ON Semiconductor FDS89161LZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

1.6W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31W

接通延迟时间

3.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 2.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

302pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.3nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.105Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15A

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.575mm

长度

4.9mm

宽度

3.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant