ON Semiconductor FDS8949-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

955pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant