ON Semiconductor FDS8960C

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A 5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

24MOhm

附加功能

快速切换

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

7A

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

功率 - 最大

900mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

570pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 5V

上升时间

16ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

35V

双电源电压

35V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2 V

高度

1.75mm

长度

4.9mm

宽度

3.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅