ON Semiconductor FDW2521C
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FDW2521C
1807-FDW2521C
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
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FDW2521C详情
ON Semiconductor FDW2521C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A 3.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
600mW
额定电流
5.5A
功率耗散
1W
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
21mOhm @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1082pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
5.5A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.082nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
21mOhm
最大rds
21 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2521C拓展信息









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