FDZ1905PZ
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ON Semiconductor FDZ1905PZ

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型号

FDZ1905PZ

utmel 编号

1807-FDZ1905PZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-UFBGA, WLCSP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

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FDZ1905PZ
FDZ1905PZ ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

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FDZ1905PZ详情

ON Semiconductor FDZ1905PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    46 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-UFBGA, WLCSP

  • 引脚数

    6

  • 质量

    54mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    143 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2016

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.5W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    126m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 上升时间

    36ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    -20V

  • 下降时间(典型值)

    36 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    650μm

  • 长度

    1mm

  • 宽度

    1.5mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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FDZ1905PZ拓展信息

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