ON Semiconductor FGA30N60LSDTU

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

400V, 30A, 6.8 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

480W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

480W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

35 ns

接通时间

62 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

2870 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

225nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

18ns/250ns

开关能量

1.1mJ (on), 21mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7V

最大下降时间 (tf)

2000ns

高度

18.9mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant