ON Semiconductor FGA50N100BNTTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Test Conditions

600V, 60A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

156W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

156W

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 60A

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

257nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

34ns/243ns

RoHS状态

符合RoHS标准