ON Semiconductor FGA50T65SHD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

质量

6.401g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.14V

Test Conditions

400V, 50A, 6 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

319W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

输入类型

Standard

功率 - 最大

319W

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

34.6 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

87nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

22.4ns/73.6ns

开关能量

1.28mJ (on), 384μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant