STMicroelectronics STGP100N30

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

330V

Number of Elements

1

Test Conditions

180V, 25A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

250W

基本部件号

STGP100

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

250W

晶体管应用

通用开关

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

330V

最大集电极电流

90A

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

310 ns

Td（开/关）@25°C

-/134ns

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant