ON Semiconductor FGH25T120SMD-F155

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 25A, 23 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

最大功率耗散

428W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

元素配置

Single

功率耗散

428W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

60ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

88 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

584 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

225nC

集极脉冲电流（Icm）

100A

Td（开/关）@25°C

40ns/490ns

开关能量

1.74mJ (on), 560μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant