ON Semiconductor FGH40N65UFDTU

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

650V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

290W

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

290W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

45 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

69 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

160 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

120nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

24ns/112ns

开关能量

1.19mJ (on), 460μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

60ns

高度

20.6mm

长度

15.6mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant